令和5年度春期応用情報技術者試験

問題．11 / 80　
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フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として，適切なものはどれか。

ア. 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように，物理的な書込み位置を選択する。

イ. 記憶するセルの電子の量に応じて，複数のビット情報を記録する。

ウ. 不良のブロックを検出し，交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。

エ. ブロック単位でデータを消去し，新しいデータを書き込む。

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カテゴリー: 応用情報技術者試験（午前）令和5年度春期過去問題

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