令和5年度 春期 応用情報技術者試験

問題.11 / 80 
覚えた数 : -

フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として,適切なものはどれか。

ア. 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように,物理的な書込み位置を選択する。
イ. 記憶するセルの電子の量に応じて,複数のビット情報を記録する。
ウ. 不良のブロックを検出し,交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
エ. ブロック単位でデータを消去し,新しいデータを書き込む。
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応用情報技術者試験(午前) 令和5年度 春期 過去問題

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