エックス線作業主任者（平成30年4月）試験B | 解答一覧

1. A，B

2. A，C

3. A，D

4. B，D

5. C，D

C，D

1. TLDでは素子としてフッ化リチウム、硫酸カルシウムなどが、OSLDでは炭素を添加した酸化アルミニウムなどが用いられている。

2. TLD及びOSLDの素子は高感度であるが、TLDの素子は感度に若干のばらつきがある。

3. 線量読み取りのための発光は、TLDでは加熱により、OSLDでは緑色のレーザー光などの照射により行われる。

4. OSLDでは線量の読み取りを繰り返し行うことができるが、TLDでは線量を読み取ると素子から情報が消失してしまうため、1回しか行うことができない。

5. TLDでは加熱によるアニーリング処理を行うことにより素子を再使用することができるが、OSLDでは素子は1回しか使用することができない。

TLDでは加熱によるアニーリング処理を行うことにより素子を再使用することができるが、OSLDでは素子は1回しか使用することができない。

1. 半導体検出器において、放射線が半導体中で1個の電子・正孔対を作るのに必要な平均エネルギーをε値といい、シリコンの結晶の場合は約3.6eVである。

2. GM計数管の動作特性曲線において、印加電圧を上げても計数率がほとんど変わらない範囲をプラトーといい、プラトー領域の印加電圧では、入射エックス線による一次電離量に比例した大きさの出力パルスが得られる。

3. 気体に放射線を照射したとき、1個のイオン対を作るのに必要な平均エネルギーをW値といい、気体の種類にあまり依存せず、放射線のエネルギーに応じてほぼ一定の値をとる。

4. 線量率計の積分回路の時定数は、線量率計の指示の即応性に関係した定数で、時定数の値を小さくすると、指示値の相対標準偏差は小さくなるが、応答速度は遅くなる。

5. 測定器の指針が安定せず、ゆらぐ現象をフェーディングという。

半導体検出器において、放射線が半導体中で1個の電子・正孔対を作るのに必要な平均エネルギーをε値といい、シリコンの結晶の場合は約3.6eVである。

1. 1

2. 8

3. 56

4. 64

5. 400

8

1. 310μSv/h

2. 330μSv/h

3. 360μSv/h

4. 400μSv/h

5. 450μSv/h

330μSv/h

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1. 細胞分裂の周期のS期（DNA合成期）初期の細胞は、S期後期の細胞より放射線感受性が高い。

2. 細胞分裂の周期のG₁期（DNA合成準備期）後期の細胞は、G₂期（分裂準備期）初期の細胞より放射線感受性が低い。

3. 皮膚の基底細胞層は、角質層より放射線感受性が高い。

4. 小腸の絨（じゅう）毛先端部の細胞は、腺窩（か）細胞（クリプト細胞）より放射線感受性が低い。

5. 神経組織の放射線感受性は成人では低いが、胎児では高い。

細胞分裂の周期のG₁期（DNA合成準備期）後期の細胞は、G₂期（分裂準備期）初期の細胞より放射線感受性が低い。

1. A:甲状腺　　B:神経組織　C:肺

2. A:神経組織　B:肺　　　　C:筋肉

3. A:骨髄　　　B:肺　　　　C:筋肉

4. A:筋肉　　　B:甲状腺　　C:汗腺

5. A:甲状腺　　B:骨髄　　　C:神経組織

A:骨髄　　　B:肺　　　　C:筋肉

1. 末梢血液中の血球は、リンパ球を除いて、造血器官中の未分化な細胞より放射線感受性が低い。

2. 造血器官である骨髄（ずい）のうち、脊椎の中にあり、造血幹細胞の分裂頻度が極めて高いものは脊髄である。

3. 人の末梢血液中の血球数の変化は、被ばく量が1Gy程度までは認められない。

4. 末梢血液中の血球のうち、被ばく後、減少が現れるのが最も遅いものは血小板である。

5. 末梢血液中の赤血球の減少は貧血を招き、血小板の減少は感染に対する抵抗力を弱める原因となる。

末梢血液中の血球は、リンパ球を除いて、造血器官中の未分化な細胞より放射線感受性が低い。

1. 1～2Gy程度の被ばくでは、放射線宿酔の症状が現れることはない。

2. 被ばくした全員が、60日以内に死亡する線量の最小値は、約4Gyである。

3. 3～5Gy程度の被ばくによる死亡は、主に造血器官の障害によるものである。

4. LD50/60に相当する線量の被ばくによる死亡は、主に消化器官の障害によるものである。

5. 被ばくから死亡までの期間は、一般に、造血器官の障害による場合の方が、消化器官の障害による場合より短い。

3～5Gy程度の被ばくによる死亡は、主に造血器官の障害によるものである。

1. 確率的影響では、被ばく線量が増加すると影響の発生確率も増加する。

2. 確定的影響では、被ばく線量と影響の発生確率との関係が、シグモイド曲線で示される。

3. 遺伝的影響は、確率的影響に分類される。

4. 確定的影響の発生確率は、実効線量により評価される。

5. しきい線量は、確定的影響には存在するが、確率的影響には存在しない。

確定的影響の発生確率は、実効線量により評価される。

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1. 放射線によって水分子がフリーラジカルになり、これが生体高分子を破壊し、細胞に障害を与えることを直接作用という。

2. エックス線などの間接電離放射線により発生した二次電子が生体高分子を電離又は励起し、細胞に障害を与えることを間接作用という。

3. 生体中にシステインなどのSH基を有する化合物が存在すると放射線効果が軽減されることは、直接作用により説明される。

4. 生体中に存在する酸素の分圧が高くなると放射線効果が増大することは、間接作用では説明できない。

5. 溶液中の酵素の濃度を変えて同一線量の放射線を照射するとき、酵素の濃度が減少するに従って、酵素の全分子数のうち不活性化されたものの占める割合が増大することは、間接作用により説明される。

溶液中の酵素の濃度を変えて同一線量の放射線を照射するとき、酵素の濃度が減少するに従って、酵素の全分子数のうち不活性化されたものの占める割合が増大することは、間接作用により説明される。

1. 着床前期の被ばくでは胚（はい）の死亡が起こることがあるが、被ばくしても生き残り、発育を続けて出生した子供には、被ばくによる影響はみられない。

2. 器官形成期の被ばくでは、奇形が生じることがある。

3. 胎児期の被ばくでは、出生後、精神発達遅滞がみられることがある。

4. 胎内被ばくにより胎児に生じる奇形は、確定的影響に分類される。

5. 胎内被ばくを受け出生した子供にみられる精神発達遅滞は、確率的影響に分類される。

胎内被ばくを受け出生した子供にみられる精神発達遅滞は、確率的影響に分類される。

1. DNA損傷には、塩基損傷とDNA鎖切断があるが、エックス線のような間接電離放射線では、塩基損傷は生じない。

2. DNA鎖切断のうち、二重らせんの両方が切れる2本鎖切断の発生頻度は、片方だけが切れる1本鎖切断の発生頻度より高い。

3. 細胞には、DNA鎖切断を修復する機能があり、修復が誤りなく行われれば細胞は回復し、正常に増殖を続けるが、塩基損傷を修復する機能はない。

4. DNA2本鎖切断の修復方式のうち、非相同末端結合修復は、DNA切断端どうしを直接結合する方式であるため、誤りなく行われる。

5. DNA鎖切断のうち、1本鎖切断は2本鎖切断に比べて修復されやすい。

DNA鎖切断のうち、1本鎖切断は2本鎖切断に比べて修復されやすい。

1. 生殖腺が被ばくしたときに生じるおそれのある障害には、子孫への遺伝的影響のほか、被ばく者本人の身体的影響に分類されるものもある。

2. 生殖細胞に突然変異が生じても、子孫に遺伝的影響が生じるとは限らない。

3. 胎内被ばくを受け、出生した子供にみられる発育遅滞は、遺伝的影響である。

4. 小児が被ばくした場合にも、子孫に遺伝的影響が生じるおそれがある。

5. 遺伝的影響は、次世代だけでなく、それ以後の世代に現れる可能性もある。

胎内被ばくを受け、出生した子供にみられる発育遅滞は、遺伝的影響である。

1. RBEは、次の式で定義される。

2. RBE＝ある生物学的効果を引き起こすのに必要な基準放射線の吸収線量／同一の効果を引き起こすのに必要な対象放射線の吸収線量

3. RBEを求めるときの基準放射線には、60Coのベータ線を用いる。

4. エックス線は、そのエネルギーの高低にかかわらず、RBEが1より小さい。

5. RBEの値は、同じ線質の放射線であれば、着目する生物学的効果、線量率などの条件が異なっても変わらない。

RBEは、次の式で定義される。

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